SK하이닉스가 초고속 D램 HBM2E를 본격 양산한다.
SK하이닉스는 2일 이같은 사실을 밝혔다. 지난해 8월 개발에 성공한 후 10개월여만에 양산에 돌입했다.
HBM2E는 D램 후공정을 통해 속도를 초당 3.6Gbps로 크게 확대한 제품이다. 1024개 정보출입구를 활용한 것.
용량도 16Gb D램칩을 TSV 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 큰 16GB로 늘렸다.
HBM2E는 최근 딥러닝과 고성능 컴퓨팅 수요가 빠르게 확대되는 상황에서 새로운 메모리 반도체 대안으로 떠오르고 있다. D램 미세 공정 속도가 다소 주춤하는 상황, 후공정을 통해 D램 성능을 극대화할 수 있기 때문이다.
앞서 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 개발해 새로운 시대를 연 바 있다. HBM2E 개발에는 삼성전자에 뒤쳐졌지만, 결국 양산에 성공하면서 추격 물꼬를 마련했다.
SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 “SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다”며 “이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.
신미영 기자
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